2차원 반도체의 전극 접촉저항 감소기술 Contact resistance reduction techniques between metal and 2-dimensional semiconductors

2차원 반도체 물질은 기계적, 전기적, 그리고 광학적으로 우수한 특성으로 인해 다양한 분야에서 연구하고 있는 물질이다. 하지만 2차원 반도체 물질과 금속 전극 사이의 높은 접촉저항으로 인해 2차원 반도체 물질 기반의 다양한 응용소자의 성능을 극대화시키지 못하고 있는 실정이다. 

 본 기술은 도핑 및 금속과 접촉하는 2차원 반도체 물질의 모서리 길이를 디자인하여 2차원 반도체 물질과 금속 전극 사이의 접촉저항을 낮추는 방법이다. 먼저, 2차원 반도체 물질을 도핑시킬 수 있는 물질을 절연층으로 사용하거나 절연층 위에 코팅 후 그 위에 2차원 반도체 물질을 전사시켜 광학적 혹은 열적 에너지를 이용하여 2차원 반도체 물질을 도핑시킨다. 이때, 2차원 반도체 물질의 전자상태밀도(Density of State)는 커지는 쪽으로 변화하여 금속 전극에서부터 넘어오는 전하를 받을 수 있는 자리를 늘려 2차원 반도체 물질과 금속 전극 사이의 접촉저항이 낮아진다. 이후, 금속 전극 밑의 도핑된 2차원 반도체 물질을 패턴 및 식각 하여 금속 전극과 접촉하는 2차원 반도체 물질의 모서리를 늘려 접촉저항을 추가적으로 낮추는 방법에 관한 것이다.

특허정보
발명의 명칭 2차원 반도체의 도핑방법
출원번호 10-2015-0151713
대표 발명자 박진홍 교수(전자전기공학과)
발명의 명칭 2차원 반도체를 이용한 전자 소자의 전극 형성 방법 및 그 전극소자
출원번호 10-2016-0018873
대표 발명자 박진홍 교수(전자전기공학과)

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